【三億體育科技消息】全球人工智能(AI)投資熱潮加劇了內存半導體短缺,三星和SK海力士正同步提升其中國工廠的工藝技術和產能,以全面擴大供應。韓國金融監督院近日披露,兩家公司去年在華工廠的投資總額超過1.5萬億韓元。
三星和SK海力士
據三億體育了解,三星去年對其位于中國西安的工廠投資了4654億韓元,較前一年的2778億韓元大幅增長67.5%。西安工廠是三星唯一的海外NAND閃存生產基地,約占其總產量的40%。此前,三星在2019年對西安工廠投資約6984億韓元后,2020年至2023年間未進行重大投資,但自2024年起恢復投資并持續加碼。
與此同時,SK海力士去年也對其無錫DRAM工廠和大連NAND閃存子公司進行了超過1萬億韓元的投資。其中,向無錫DRAM工廠注資5810億韓元,較2024年的2873億韓元激增102%;向大連NAND工廠投資4406億韓元,增長52%。這是SK海力士自2022年收購英特爾大連NAND工廠以來,首次在華進行萬億韓元規模的投資。
SK海力士無錫DRAM工廠
韓媒解讀稱,全球內存市場兩位巨頭如此積極投資中國工廠的背后,是源源不斷的內存半導體訂單。當前內存市場供應緊張,今年全年的DRAM和NAND閃存產量已基本售罄。隨著AI服務從簡單的搜索演變為需要更多推理和學習的“智能體”形式,對高性能DRAM的需求激增,用于AI數據中心處理信息的超高性能內存訂單也大幅增長。
瑞銀證券預測,全球半導體市場今年將比去年擴張40%以上,達到1萬億美元規模。此外,中國國內的AI基礎設施投資也帶動了強勁的內需,去年中國內存半導體市場規模已達約4580億元人民幣,預計今年還將進一步擴大。
僅靠韓國國內的生產設施已無法滿足全球需求,三星和SK海力士正通過升級其關鍵生產基地之一的中國工廠來擴大供應。通過大規模追加投資,三星計劃將其西安NAND工廠的主要工藝從128層(第6代)升級至236層(第8代)。
SK海力士則通過投資,將其無錫工廠的DRAM生產工藝從10納米級第3代(1z)升級至第4代(1a)。升級后,無錫工廠將能夠大規模生產第五代雙倍數據速率(DDR5)等高附加值產品。該工廠占SK海力士DRAM總產量的30%以上,現已轉型為高附加值產品生產基地。
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